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碳化硅晶片
 
4H-N型SiC衬底
碳化硅（SiC）晶体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优越性能，被认为是制备高频大功率器件、高温电子器件、微波器件最有应用前途的材料，被广泛应用于新能源汽车电机驱动、充电桩、光伏逆变器等领域。

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